Magnchip Semiconductor hat einen Transistor entwickelt, mit dem sich nicht nur bisherige Leistungen von Smartphones erhöhen lassen. Er soll darüber hinaus auch die dabei beanspruchten Batterien besser schützen helfen.
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Gefährdete Smartphones: Brandgefahr durch Akkus
Kaum jemand dürfte die Berichte über Brände vergessen haben, die durch defekte Smartphone-Akkus ausgelöst wurden. 2016 sorgten Handys der neuesten Generation dafür, dass nicht nur Nutzer von ihren brennenden Schlafzimmern geweckt wurden, in denen sie die Geräte über Nacht aufluden. Auch Reisende in einem Flugzeug entgingen nur knapp einer Katastrophe, als Komponenten von Mobilfunkeinheiten in Brand gerieten. Zum Glück für alle Anwesenden geschah das noch vor der Flugphase, so dass niemand ernsthaft zu Schaden kam.
Lithium-Ionentechnik: Nützliche aber anfällige Ladetechnologie
Möglich wurden derartige Vorfälle durch die dabei verwandten Lithium-Ionenbatterien. Diese verfügen zwar über die Eigenschaft vergleichsweise hohe Mengen an Energie speichern zu können und viele Ladeeinheiten zu überstehen. Darüber hinaus lassen sie sich auch noch relativ leicht und platzsparend produzieren. Gleichzeitig ist das zugrundliegende Material aber sehr reaktionsfreudig. Schon wenige Abweichungen beim sorgsam geplanten Einbau oder Verschmutzungen der Umgebung von elektrischen Bereichen können dafür sorgen, dass sich brennbare Milieus entwickeln.
Magnachip: Längere Leistung und höherer Schutz
Magnachip hat nun einen Transistor entwickelt, der den Batterien von Smartphones nicht nur eine gesteigerte Leistungsfähigkeit, sondern auch einen besseren Schutz vor Überhitzung verspricht. Der LV-MOSFET Chip wurde dazu so verkleinert, dass er in die neuesten Generationen von Handymodellen passt. Auch ein Einsatz für Anwendungen im Bereich der kabellosen Kopfhörer wird von dem Entwickler erwartet. Ein bisher unbekannter Hersteller von mobilen Endgeräten hat bereits mit der massenhaften Fertigung der Lösung begonnen.
LV-MOSFET-Transistor: mehr Sicherheit durch Silicium Halbleiter
Bei der Herstellung des LV-MOSFET 6,5-Transitors kommen durch kontrollierte Oxidationsprozesse erzeugte Silicium Halbleiter zum Einsatz. Von ihnen verspricht sich das entwickelnde Unternehmen deutliche Verbesserung bei Kapazitäten und Sicherheit. Durch den so genannten Metalloxid-Halbleiter-Effekt sollen überlastete Batterien der Vergangenheit angehören. Besonderes Augenmerk wurde dabei auf die Schnellladekabel gelegt, da diese sehr hohe Spannungen aufweisen können. Die dabei verbauten metallischen Ressourcen und elektrotechnischen Bestandteile sind hierbei darauf ausgelegt, mögliche Stromverluste zu begrenzen. Desweiteren könnten sie sich auch als hilfreich bei der Verhinderung von elektrostatischen Entladungen erweisen, die die Fähigkeit haben, Gerätebestandteile zu beschädigen.
