Für Villach plant Infineon eine bedeutende Erweiterung seiner Halbleiterfertigung. Die neue Anlage produziert GaN-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern in Großserie. Damit soll eine skalierbare Versorgung mit energieeffizienten Bauelementen entstehen. Bis 2034 stellt das Unternehmen rund 1,1 Milliarden Euro bereit. Der Großteil der Maßnahmen betrifft bereits verfügbare Reinraumkapazitäten. Der Start der Fertigung ist Ende 2027 eingeplant. Zusätzliche Produktionsstufen werden nur bei wachsender Nachfrage aktiviert.
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Große Waferdurchmesser fördern Infineons industrielle GaN-Serienfertigung in Villach nachhaltig
Infineon schafft durch 300-Millimeter-Wafer eine neue Fertigungsgrundlage für GaN in Villach. Der große Durchmesser unterstützt hohe Stückzahlen bei der Herstellung von Leistungshalbleitern. Er erlaubt eine breite industrielle Skalierung der zugrunde liegenden Technologie. Mehr Chipfläche je Wafer verbessert die Nutzung von Produktionsdurchläufen. Die Anlage schafft damit Perspektiven für kommende Generationen leistungsfähiger Bauelemente. Am Standort werden Fertigungskompetenz und spezialisierte Prozesskenntnisse weiter ausgebaut. Villach unterstreicht seine internationale Rolle im Bereich moderner Leistungshalbleiter.
Villachs bestehende Reinräume bilden Grundlage für kosteneffiziente Produktionsausweitung künftig
Vorhandene Reinraumbereiche werden zur Grundlage der künftigen Fertigungserweiterung in Villach. Infineon investiert in deren Modernisierung statt in einen vollständigen Neubau. Bestehende Gebäudeversorgung und Prozessumgebung senken den zusätzlichen Einrichtungsaufwand erheblich dabei. Dies ermöglicht eine effizientere Verwendung der verfügbaren Investitionsmittel insgesamt deutlich. Der Produktionsausbau kann modular erfolgen und bleibt zeitlich variabel dadurch. Neue Kapazitäten werden erst mit nachweisbarem Bedarf bereitgestellt am Markt. So vermeidet das Unternehmen unnötige Vorleistungen und hohe Leerstände frühzeitig.
Moderne GaN-Halbleiter verbessern Energieeffizienz in Infrastruktur und Elektronik nachhaltig
GaN-Leistungstransistoren ermöglichen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten übertragen. Diese Eigenschaften erleichtern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung stärkt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Ende 2027 soll Villachs GaN-Fertigung schrittweise Produktion aufnehmen planmäßig
Infineon rechnet damit, die GaN-Leistungshalbleiterfertigung in Villach gegen Ende 2027 zu starten. Für die folgenden Jahre bis 2034 sind Investitionen von ungefähr 1,1 Milliarden Euro eingeplant. Der Ausbau soll sich an der tatsächlichen Nachfrage orientieren und kann daher stufenweise erfolgen. Abhängig von den Marktbedingungen wird die Produktionsleistung erweitert oder zunächst auf einem bestimmten Niveau gehalten. Damit verbindet das Unternehmen den langfristigen Aufbau moderner Fertigungsstrukturen mit einer anpassungsfähigen Steuerung des Kapazitätswachstums.
319 Millionen Euro fließen in Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter Europas
Für die vorgesehene Hochvolumenfertigung stellt der Europäische Chips Act 319 Millionen Euro bereit. Die Förderung stärkt die wirtschaftliche Grundlage für zusätzliche Produktionskapazitäten moderner Leistungshalbleiter. Sie unterstützt Europas Bestreben, kritische Technologien verstärkt im eigenen Wirtschaftsraum verfügbar zu machen. Die Anlage in Villach ergänzt bestehende Fertigungsstrukturen und schafft eine weitere Bezugsquelle für industrielle Kunden. Dadurch lassen sich Lieferketten robuster gestalten und Abhängigkeiten von weit entfernten Standorten begrenzen. Zudem wächst die technologische Kompetenzbasis.
Der Ausbau in Villach schafft neue Möglichkeiten für GaN-Leistungselektronik europaweit. Infineon kombiniert hierfür großformatige Wafer mit bestehender Reinraumtechnik am Standort. Diese Struktur erlaubt eine schnelle Skalierung bei überschaubarem Investitionsaufwand insgesamt. Der Produktionsbeginn ist für Ende 2027 am Standort Villach vorgesehen. Anwender erhalten Zugang zu effizienten Bauelementen für neue Systeme künftig. Besonders relevant sind Lösungen für leistungsstarke digitale Infrastrukturen weltweit zunehmend. Die Förderung festigt Europas Rolle in der Halbleiterwertschöpfung nachhaltig weiter.
